YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT

YZPST 1200V 150B120F23 Módulo de energia IGBT

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-150B120F23

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VCES1200V

IC150A

ICRM300A

VGES±20V

Ptot968W

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Módulo IGBT 1200V150A 150B120F23
Descrição do produto
Módulo de energia IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150A
Formulários
Inversor para acionamento de motor
Amplificador de acionamento de servo AC e CC
UPS (fontes de alimentação ininterruptas)
Máquina de soldagem de comutação suave
Características
VCE baixo (SAT) com tecnologia de parada de campo
VCE (SAT) com coeficiente de temperatura positivo
Incluindo recuperação rápida e suave anti-paralela FWD
Alta capacidade de curto -circuito (10us)
Estrutura do módulo de baixa indutância

Temperatura máxima da junção 175 ℃

YZPST-150B120F23 IGBT Module


Absoluto Máximo Classificações

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Características IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25 1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125 2 V
Input Capacitance Cies 9.8 nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V, 0.82 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.48 nF
Internal Gate Resistance Rgint 2.5 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 185 Ns
Rise Time tr IC =150 A 55 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V 360 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 115 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω 15.4 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 11.6 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 200 Ns
Rise Time tr IC =150 A 60 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 420 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 120 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω 23.2 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 17 mJ
Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
VCEM≤1200V

Características do diodo

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 150 A
Diode Peak Forward Current IFRM 300 A
IF=150A,Tvj=25 1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125 1.85 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 13.4 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 143 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 160 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 9.1 mJ
Recovered Charge Qrr 26.1 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 178 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 440 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 15.4 mJ

Características do módulo t c = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvjop -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.05 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N·m
Weight of Module G 150 g

Pacote Dimensões

YZPST-150B120F23 Dimensions



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苏ICP备05018286号-1
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