YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo IGBT> Operação de alta frequência 1700V All-SIC Módulo
Operação de alta frequência 1700V All-SIC Módulo
Operação de alta frequência 1700V All-SIC Módulo
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Operação de alta frequência 1700V All-SIC Módulo

Operação de alta frequência 1700V All-SIC Módulo

$7905-19 Piece/Pieces

$660≥20Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-230B170F62

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VDSmax1700V

ID Tc=25℃230A

ID Tc=100℃200A

VGSmax-10V/+25V

VGSop-5V/+20V

TJ TSTG-40℃+155℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Módulo SIC 230B170F62
Descrição do produto
Módulo de potência All-SiC P/N: YZPST-230B170F62 Módulo SIC
VDS = 1700V RDS (ON) = 7,5mΩ
Formulários
Aquecimento de indução
Inversores solares e de vento
Conversores DC/CA
Características
Ultra baixa perda
Operação de alta frequência
Corrente de recuperação reversa zero do diodo
Corrente da cauda de desligamento zero do MOSFET
Operação de dispositivo normalmente para falhas à prova de falhas

Facilidade de paralelo

1700V 7.5 mΩ in one-package


Classificações máximas absolutas (T c = 25 ℃ , a menos que especificado de outra forma)

Parameter
Symbol Conditions Value Unit
Drain-source voltage VDSmax 1700 V
VGS=20V, Tc=25℃ 230
Continuous collector current ID VGS=20V, Tc=100 200 A
Gate- source voltage VGSmax Absolute maximum values -10V/+25V V
Gate-source voltage VGSop Recommended operational values -5V/+20V V
Operating Junction and Storage Temperature TJ TSTG -40~+155

Elétrico Características (T c = 25, a menos que especificado de outra forma)

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate threshold voltage VGSth ID =108mA 2 2.6 4 V
Zero gate voltage drain current IDSS VDS=1700V,VGS=0V 6 600 uA
Gate-source leakage current IGSS VGS=20 V 1500 nA
VGS=20V, IDS=230A 7.5 11.7 ma
On state resistance RDS(on) VGS=20V, IDS=230A,Tvj=150℃ 15 ma
Input capacitance Ciss 21.3 nF
Output capacitance Coss VGS=0V,VDS=1000V, VAC=25mV f=1MHz 0.99 nF
Reverse transfer capacitance Crss 0.04 nF
Gate-source charge QGS 324 nC
Gate-drain charge QGD VDS=1200V,VGS = +20V/-5V 150 nC
Total gate charge QG ID =300 A 1158 nC
Turn-on delay time td(on) 27 ns
ID =180A
Rise time tr VDS =1200V 32 ns
Turn-off delay time td(off) VGS = +20V/-5V 36 ns
Fall time tf RG= 2.5a 10 ns
Energy dissipation during turn-on time ID =180A
Eon VDS =1200V 1.2 mJ
VGS = +20V/-5V
RG= 2.5a
Energy dissipation during turn-off time Eoff L=200uH 2 mJ
IF=300A 1.6 1.9 V
Diode forward voltage VSD IF=300A,Tvj=150℃ 2.2 2.8 V

Módulo Caracteristi CS (T c = 25 ℃ , a menos que especificado de outra forma)

Parameter Value
Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit
Case isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum junction temperature Tjmax 175
Operating junction temperature Tvj op -40 150
Storage temperature Tstg -40 125
Module electrodes torque Mt Recommended(M6) 3 6
Module to heatsink torque Ms Recommended(M6) 3 6 Nm
Weight of module G 300 g

O circuito Diagrama

Circuit Diagram



Dimensões da embalagem

Package Dimensions


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