YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo IGBT> Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A
Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A

Capacidade de alta circuito de curto -circuito 650V Módulo de potência IGBT 200A

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-SKM195GB066D

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGES±20V

Ptot695W

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Exemplo de imagem :
Baixar :
Módulo IGBT SKM195GB066D
Descrição do produto

Módulo de potência IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D


Formulários

Inversor para acionamento de motor

Amplificador de acionamento de servo AC e CC

UPS (fontes de alimentação ininterruptas)

Máquina de soldagem de comutação suave

Características

VCE baixo (SAT) com tecnologia de parada de campo

VCE (SAT) com coeficiente de temperatura positivo

Incluindo recuperação rápida e suave anti-paralela FWD

Alta capacidade de curto -circuito (10us)

Estrutura do módulo de baixa indutância

Temperatura máxima da junção 175 ℃

650V IGBT Power Module 200A



Absoluto Máximo Classificações

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Características IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25 1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125 1.65 V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V, 12.3 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.37 nF
Internal Gate Resistance Rgint 1 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V 348 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 58 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 5.85 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V 364 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 102 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω 3.08 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 7.92 mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V 1000 A

Características do diodo

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 200 A
Diode Peak Forward Current IFRM 400 A
IF=200A,Tvj=25 1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125 1.5 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 8.05 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 148 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 1.94 mJ
Recovered Charge Qrr 16.9 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 186 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 3.75 mJ

Módulo Characteri STICS T C = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvj op -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.085 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N · m
Weight of Module G 150 g

Pacote Dimensões

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions



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苏ICP备05018286号-1
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