Módulo IGBT IGBT CHIP 75A 1200V

YZPST-75HF120TK-G1

75A Módulo IGBT 1200V

RECURSOS
Alta capacidade de curto -circuito, corrente de curto -circuito auto -limitador

Alta capacidade de curto -circuito, corrente de curto -circuito auto -limitador

Chip IGBT (Tecnologia de Trench+ Stop Field)

VCE ( s at ) com temperatura postiva de café

Comutação rápida e corrente de cauda curta, baixas perdas de comutação

Diodos de rodas livres com recuperação reversa rápida e suave

Senso de temperatura incluído

FORMULÁRIOS

Aplicativo de comutação de alta frequência

Conversores de soldagem

Controle de movimento/servo

Sistemas UPS

Máximo absoluto Classificações T c = 25 ° C, a menos que seja Especificadas

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
IGBT
VCES	Collector - Emitter Voltage	TVj=25°C	1250	V
VGES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
IC	DC Collector Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Repetitive Peak Collector Current	tp=1ms	150	A
Ptot	Power Dissipation Per IGBT		500	W
Diode
VRRM	Repetitive Reverse Voltage	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Average Forward Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Repetitive Peak Forward Current	tp=1ms	150	A
I2t		TVj =125°C, t=10ms, VR=0V	2810	A2s

Características do módulo

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
TVj max	Max. Junction Temperature				150	°C
TVj op	Operating Temperature		-40		150	°C
Tstg	Storage Temperature		-40		125	°C
Visol	Insulation Test Voltage	AC, t=1min		3000		V
Torque	To-Sink	Recommended M6	3		5	N·m
Torque	To-Terminal	Recommended M5	2.5		5	N·m
Weight				176		g

Esboço do pacote