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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase > Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão

Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão
Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão
Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão
Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão

Tiristor 4500V de alta potência do dispositivo montado em pressão

Preço unitário: USD 310 - 410 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-R3708FC45V

    VRRM: 4500V

    VDRM: 4500V

    VRSM: 4600V

    IRRM / IDRM: 200mA

    DV/dt: 200 V/μsec

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9000

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Tiristor de alta potência para aplicativos de controle de fase

YZPST-R3708FC45V

Recursos:

. Toda a estrutura difusa

. Configuração da porta de amplificação linear

. Capacidade de bloqueio de até 4500 volts

. Tempo máximo de desligamento garantido

. Alta capacidade dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

Estado de bloqueio - desativado



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = tensão reversa de pico repetitiva


V DRM


Re = p ETITI v e p EAK o ff estado vo lta g e m

V RSM = N o n re p etiti v e p eak re v erse vo lta g e (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Condução - no estado


forma de onda para 80% avaliado V DRM . Portão abrir. Tj = 125 o C.

(5) Não repetitivo valor.

(6) o valor do di / dt está estabelecido no de acordo com EIA / NIMA Padrão RS-397, Seção

5-2-2-6. T h e valor definiram seria estar no Adição para aquele obtido de uma snubber circuito, co m p subindo uma 0,2 μ F capacitor e 20 oh m resistência no paralelo com a thristor sob teste.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ELÉTRICO CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES R3708FC45 - Po w er Th y RISTOR

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


TÉRMICO E MECÂNICO CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* Montagem superfícies s m Ooth, plano e untado

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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Fax:86-514-87782297

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