YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo IGBT> Alta capacidade de curto -circuito 10us 1200V Módulo IGBT 450A
Alta capacidade de curto -circuito 10us 1200V Módulo IGBT 450A
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Alta capacidade de curto -circuito 10us 1200V Módulo IGBT 450A

$1152-99 Piece/Pieces

$82≥100Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-450B120E53

marcaYzpst

VCES1200V

IC450m

ICRM900m

VGES±20V

Ptot3000W

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Baixar :
Módulo IGBT YZPT-450B120E53
Descrição do produto

YZPST-450B120E53

Módulo IGBT
Formulários
Inversor para acionamento de motor
MC e DC Servo Drive amplificador
UPS (fontes de alimentação ininterruptas)
Máquina de soldagem de comutação suave

Fnaturns
VCE baixo (SAT) com tecnologia SPT+
VCE (SAT) com coeficiente de temperatura positivo
Incluindo recuperação rápida e suave FWD anti-paralelo
Alta capacidade de curto -circuito (10us)
Estrutura do módulo de baixa indutância
1200V IGBT Module 450A

Maxmmum ratmn absoluto


Parameter

Symbol

CondMtMons

Value

UnMt

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mm, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

450

m

Peak Collector Current

ICRM

ICRM =2IC

900

m

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3000

W

IGBT CARECTERMSTMCS

Parameter

 

Symbol

 

CondMtMons

 

Value

 

UnMt

MMn.

Typ.

Max.

 

Gate-emitter Threshold Voltage

VGE(th)

VGE=VCE, IC =3mm,Tvj=25

5.0

6.2

7.0

V

 

Collector-Emitter Cut-off Current

 

ICES

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25

 

 

1.0

mm

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125

 

 

5.0

mm

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=25

 

1.85

 

V

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=125

 

2.05

 

V

Input Capacitance

Cies

 

VCE=25V,VGE =0V,

f=1MHz, Tvj=25

 

31.8

 

nF

Output Capacitance

Coes

 

2.13

 

nF

Reverse Transfer Capacitance

Cres

 

1.48

 

nF

Internal Gate Resistance

Rgint

 

 

0.7

 

Ω

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

IC =450 m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=25

 

320

 

ns

Rise Time

tr

 

165

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

650

 

ns

Fall Time

tf

 

124

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

35

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

42

 

mJ

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

 

IC =450m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=125

 

350

 

ns

Rise Time

tr

 

193

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

720

 

ns

Fall Time

tf

 

156

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

55

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

64

 

mJ

 

SC Data

 

Isc

Tp≤10us,VGE=15V, Tvj=150,Vcc=600V,

VCEM≤1200V

 

 

2100

 

 

m

Ÿ Pacote Dimensões

1200V IGBT Module




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