Especificação do tiristor 400a do controle de fase

    Tipo de pagamento: L/C,T/T,D/P
    Incoterm: FOB,CFR,FCA
    Tempo de entrega: 30 dias

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Informação básica

Modelo: YZPST-KP400A1800V

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 1000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristores de Controle de Fase

YZPST-KP400A1800V

Os Tiristores de Controle de Fase são



O circuito de disparo de fase é na verdade um tipo de circuito de disparo de corrente alternada. O método deste circuito é usar o circuito RC para controlar a fase do sinal de disparo.


Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1100 A

TJ = 25°C

 

 

1.85

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

400

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

530

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.048

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

6.3

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

198

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

160

A/µs

non-repet

 

 

320

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.5

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

250

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

300

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-60

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-60

 

120

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

9

 

11

kN

Esboço Desenho

Thyristor 400a 1800v


Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

imagem de Produto

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