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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Tiristor de disco KP800A 1800v
Tiristor de disco KP800A 1800v

Tiristor de disco KP800A 1800v

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-KP800A 1800V

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristor de Controle de Fase

YZPST-KP800A1800V


O Tiristor de Controle de Fase 1900V é amplamente utilizado em todos os tipos de equipamentos eletrônicos e produtos eletrônicos. É usado para retificador controlado, inversor, conversão de freqüência, regulação de tensão e interruptor sem contato.Eletrodomésticos elétricos na luz escurecimento, ventilador de velocidade, ar condicionado, aparelhos de TV, geladeiras, máquinas de lavar, câmeras, som combinado, luz e circuito de som, controlador de tempo, dispositivo de brinquedo, controle remoto sem fio, câmera, e o dispositivo tiristor é amplamente utilizado no controle industrial, etc.



Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1500 A

TJ = 25°C

 

 

1.70

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

800

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

2214

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.032

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

12.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

806

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

500

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

3.0

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

300

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

10

 

20

kN

Esboço Desenho

Phase Control Thyristor




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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