Tiristor de disco KP800A 1800v

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Informação básica

Modelo: YZPST-KP800A 1800V

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 1000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristor de Controle de Fase

YZPST-KP800A1800V

O Tiristor de Controle de Fase 1900V é amplamente utilizado em todos os tipos de equipamentos eletrônicos e produtos eletrônicos. É usado para retificador controlado, inversor, conversão de freqüência, regulação de tensão e interruptor sem contato.Eletrodomésticos elétricos na luz escurecimento, ventilador de velocidade, ar condicionado, aparelhos de TV, geladeiras, máquinas de lavar, câmeras, som combinado, luz e circuito de som, controlador de tempo, dispositivo de brinquedo, controle remoto sem fio, câmera, e o dispositivo tiristor é amplamente utilizado no controle industrial, etc.

Thyristor				Ratings
Symbol	Definition	Conditions		min.	typ.	max.	Unit
V EQ \F(RSM,DSM)	max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage		T_J = 25°C			1900	V
V EQ \F(RRM,DRM)	max. repetitive reverse/forward blocking voltage		T_J = 25°C			1800	V
V_T	On-state voltage	I_T=1500 A	T_J = 25°C			1.70	V
I_T(AV)	average forward current	T_C=25°C				800	A
I_T(RMS)	RMS forward current	180° sine				2214	A
R_thJC	thermal resistance junction to case						K/W
R_thCH	thermal resistance case to heatsink						K/W
R_thJK	thermal resistance junction to heatsink					0.032	K/W
I_TSM	max. forward surge current	t = 10 ms; (50 Hz), sine	T_J = 25°C			12.7	kA
I²t	value for fusing	t = 10 ms; (50 Hz), sine	T_J = 25°C			806	kA²s
di/dt	Rate of rise of on-state current	T_J = 125°C; f = 50 Hz t_P=200µs;di_G/dt=0.15A/µs; I_G=0.15A;V_D= ⅔V_DRM	repetitive			500	A/µs
di/dt	Rate of rise of on-state current		non-repet			1000	A/µs
dv/dt	Maximum linear rate of rise of off-state voltage	V_D= ⅔V_DRM R_GK =∞; method 1 (linear voltage rise)	T_J = 125°C			1000	V/µs
V_GT	gate trigger voltage	V_D = 6V	T_J = 25°C			3.0	V
I_GT	gate trigger current	V_D = 6V	T_J = 25°C			300	mA
I_L	latching current		T_J = 25°C				A
I_H	holding current		T_J = 25°C			500	mA
t_gd	gate controlled delay time		T_J= 25°C			2.5	µs
t_q	Turn-off time	V_R=10 V; I_T=20A; V_D=⅔V_DRM	T_J = 150°C		200	400	µs
T_stg	storage temperature			-40		125	°C
T_J	virtual junction temperature			-40		125	°C
W_t	Weight						g
F	mounting force			10		20	kN