Comunique-se com o fornecedor? fornecedor
John chang Mr. John chang
O que posso fazer por você?
conversar Agora Fornecedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Melhor Tiristor com Garantia de Qualidade

Melhor Tiristor com Garantia de Qualidade

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
Baixar:

Informação básica

    Modelo: YZPST-N195CH16

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto



TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA O CONTROLE DE FASES

YPPST-N195CH16


Melhor 1600V tiristor, Características:. Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada

. Tempo de desligamento máximo garantido . Alta capacidade de dV / dt . Todos os dispositivos montados sob pressão de estrutura difusa .

CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1600

1600

1700

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

50 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria um acréscimo ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

400

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

900

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

4.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

96x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

250

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.09

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

250

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

125

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

3

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

250

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

2.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

150

ms

ITM=300A, tp=500us, di/dt=10A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-60

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-60

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

80

174

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

5

7

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos



Imagens detalhadas

Trade Assurance best thyristor with Quality Assurance YZPST-N195CH16

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

Enviar Inquérito

John chang

Mr. John chang

E-mail:

info@yzpst.com

Enviar Inquérito

Número De Telefone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Celular:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail:info@yzpst.com

Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1