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Kk1000A rápido KY do conversor do tiristor de 3 fases KK

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    Tempo de entrega: 30 dias

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Informação básica

Modelo: YZPST-KK1000A2000V

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

TISTINAS DE CONTROLE DE FASE

YZPST-KK1000A2000V



TISTINAS DE CONTROLE DE FASE

Este típico circuito de ajuste de energia elétrica é usado em muitos produtos elétricos na vida diária.



Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1570

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18500

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =1 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS


Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

100

 

W

t= 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

120

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

 


Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+125

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.023

-

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.0075

-

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

22.2

26.6

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

About

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas



TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE


KK1000A2000V C712L

Características: . Toda estrutura difusa. Configuração do Gate de Amplificação Central. Capacidade de bloqueio até 2100 volts

. Tempo de desligamento máximo garantido. Alta capacidade de dV / dt. Dispositivo montado sob pressão




Fast kk Thyristor KK1000A2000V

Fast kk Thyristor KK1000A2000VFast kk Thyristor KK1000A2000V


CASE OUTLINE AND DIMENSIONS


Fast kk Thyristor KK1000A2000V

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

imagem de Produto

  • Kk1000A rápido KY do conversor do tiristor de 3 fases KK
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