Eletrônicos de alta potência tiristores 3000V
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transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
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Modelo: YZPST-N1132NC300
marca: Yzpst
Tipo De Fornecimento: outro, Fabricante original, ODM, Agência
Materiais De Referência: outro
Configuração: solteiro
Quebra De Corrente: Não aplicável
Em Espera Atual (Ih) (máximo): Não aplicável
Estado Atual Desligado (máximo): Não aplicável
Número SCR, Diodo: Não aplicável
Temperatura De Operação: -40 ° C ~ 125 ° C, -40 ° C ~ 150 ° C
Tipo SCR: Portão Sensível
Estrutura: solteiro, Não aplicável
Voltage-on: 7 ~ 9V
Gatilho Da Porta De Tensão (Vgt) (máximo): 2,5 V
Saída De Corrente (máximo): Não aplicável
VRRM: 3000
VDRM: 3000
VRSM: 3100
Fabricante eletrônico Power Tyyristores 3000V
YZPST-N1132NC300
Recursos do Thyristor 3000V: Configuração de portão de amplificação interdigitada
. Tempo de desligamento máximo garantido . Dispositivo montado de pressão. Toda estrutura difusa. Alta capacidade de dv/dt
Características e classificações elétricas
Blocking - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
3000 |
3000 |
3100 |
V rrm = tensão reversa de pico repetitivo
V drm = tensão de estado de pico de pico repetitivo
V rsm = tensão reversa de pico não repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Notas:
Todas as classificações são especificadas para TJ = 25 OC, salvo indicação em contrário.
(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma forma de onda sinusoidal de 50Hz/60zHz aplicada sobre a faixa de temperatura -40 a +125 oC.
(2) 10 ms. máx. largura do pulso
(3) Valor máximo para TJ = 125 oc.
(4) Valor mínimo para o WaveShape linear e exponencial para 80% com classificação VDRM. Portão aberto. TJ = 125 OC.
(5) valor não repetitivo.
(6) O valor de DI/dt é estabelecido de acordo com o padrão EIA/NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria um acréscimo ao obtido de um circuito Ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohmsistance em paralelo com o Thristor em teste.
Conduzindo - no estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Bloqueio
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinâmico
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
Características e classificações térmicas e mecânicas
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Superfícies de montagem lisa, plana e untada
NOTA: Para esboço de casos e dimensões, consulte o desboço do caso Desenho na página 3 Estes dados técnicos
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