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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line
Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line
Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line
Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line

Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-N350SH18

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto


Atacado de tiristores de equipamentos de segurança on-line

YZPST-N350SH18





O tiristor para equipamento atacadista possui características e classificações elétricas e algumas aplicações do tiristor de alta potência para controle de fase.


Os recursos do tiristor 1800v são todos Estrutura difusa. Configuração da porta de amplificação interdigitada. Tempo máximo de desligamento garantido


. Alta capacidade dV / dt e dispositivo montado sob pressão.






Estado de bloqueio - desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma forma de onda senoidal aplicada de 50Hz / 60zHz na faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. máx. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial para VDRM nominal de 80%. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com a norma EIA / NIMA RS-397, seção 5-2-2-6. O valor definido seria adicional ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e resistência de 20 ohms em paralelo ao thristor sob teste.




Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1042

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)M

2072

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

11.52

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

661x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.75

V

ITM = 1700 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

-

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superfícies de montagem lisas, planas e lubrificadas

Nota: para obter detalhes e dimensões do caso, consulte o desenho do mesmo na página 3 deste Dados Técnicos





Imagens detalhadas


Security Thyristor N350SH18

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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Fax:86-514-87782297

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