Thyristor do equipamento de segurança

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Informação básica

Modelo: YZPST-N350SH18

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto


Thyristor do equipamento de segurança

YZPST-N350SH18





O Tiristor para Equipamentos Atacadistas possui características e classificações elétricas e algumas aplicações do tiristor de alta potência para controle de fase.


As características do tiristor de 1800v são todas de estrutura difusa. Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada. Tempo de desligamento máximo garantido


. Dispositivo montado com alta capacidade de dV / dt e pressão.






Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria um acréscimo ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.




Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1042

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)M

2072

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

11.52

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

661x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.75

V

ITM = 1700 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

-

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos





Imagens detalhadas


Security Thyristor N350SH18

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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  • Thyristor do equipamento de segurança
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