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Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase

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Informação básica

Modelo: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto


Tiristor de alta potência para controle de fase

YZPST-R219CH12FN0

Características:

Tempo máximo de desligamento garantido

. Toda a estrutura difusa

. Dispositivo montado sob pressão

Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada

. Alta capacidade de dV / dt


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de V DRM classificado. Portão aberto. Tj = 125 o C.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em adição ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 m F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Imagens detalhadas



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

imagem de Produto

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