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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Produto

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Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase
Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase
Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase
Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase
Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase

Tiristor Promocional de Alta Potência para Controle de Fase

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto


Tiristor de alta potência para controle de fase

YZPST-R219CH12FN0

Características:

Tempo máximo de desligamento garantido

. Toda a estrutura difusa

. Dispositivo montado sob pressão

Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada

. Alta capacidade de dV / dt


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de V DRM classificado. Portão aberto. Tj = 125 o C.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em adição ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 m F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Imagens detalhadas



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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