Tiristor promocional de alta potência para controle de fase
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transporte: | Ocean,Air |
porta: | Shanghai |
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Modelo: YZPST-R219CH12FN0
marca: YZPST
Tiristor de alta potência para controle de fase
YZPST-R219CH12FN0
Recursos:
.Tempo máximo de desligamento garantido
. Toda a estrutura difusa
. Dispositivo montado sob pressão
Configuração da porta de amplificação interdigitada
. Alta capacidade dV / dt
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES
Estado de bloqueio - desativado
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
V RRM = tensão reversa de pico repetitiva
V DRM = Tensão de estado de pico repetitivo
V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Notas:
Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.
(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para um
Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o
faixa de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. máx. largura do pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial até 80% V DRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 o C.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com com o padrão EIA / NIMA RS-397, seção 5-2-2-6. O valor definido seria, além de que a obtida a partir de um circuito ubber, compreendendo um 0,2 m M condensador e 20 ohmsresistance em paralelo com o thristor sob teste.
Condução - no estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
929 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1893 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
405x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.04 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinâmico
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
10 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
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