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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase > Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE

Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE
Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE
Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE
Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE

Controlador de potência Westist Thyristor 1200V com CE

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-R220CH12FJO

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto



Tiristores de Comutação Rápida Multifuncional

YZPST-R220CH12FJO

TIRISTOR DO PODER ELEVADO PARA O CONTROLE DE FASE 1200V COM CE


Características do tiristor de comutação é que o produto tem toda a estrutura difusa, configuração de porta de amplificação interdigitada, tempo de desligamento máximo garantido, alta capacidade de DV / DT e o dispositivo de pressão montado.



CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS


Bloqueio - estado desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = tensão reversa de pico repetitiva

VDRM = tensão de estado de pico repetitivo

VRSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)




Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria um acréscimo ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

964

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1971

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.4

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

442x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.96

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

25

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos



Imagens detalhadas


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-R220CH12FJO

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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