Comunique-se com o fornecedor? fornecedor
John chang Mr. John chang
O que posso fazer por você?
conversar Agora Fornecedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Produto

Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase > Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou

Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou
Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou
Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou
Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou
Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou

Máquina de soldadura dos tiristores do poder de Yangzhou

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
Baixar:

Informação básica

    Modelo: YZPST-R355SH12FLO

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: CHINA

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto





Interruptor rápido de alta potência do tiristor

YZPST-R355SH12FLO

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE

Características:. Tempo de desligamento máximo garantido . Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada . Toda estrutura difusa . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS



Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = tensão reversa de pico repetitiva

VDRM = tensão de estado de pico repetitivo

VRSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria um acréscimo ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

15

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos






Imagens detalhadas



Thyristor Fast High-Power Switch


Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

Enviar Inquérito

John chang

Mr. John chang

E-mail:

info@yzpst.com

Enviar Inquérito

Número De Telefone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Celular:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail:info@yzpst.com

Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1