Mosfet de potência smd 110v STC2326

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Modelo: YZPST-STC2326

marca: YZPST

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B triacs da série TA30

YZPST-STC2326

DESCRIÇÃO

O STC2326 é o transistor de efeito de campo de potência do modo de aprimoramento lógico de canal N, que é produzido usando tecnologia de trincheira DMOS de densidade celular super alta. O STC2326 foi projetado especificamente para melhorar a eficiência geral dos conversores DC / DC usando controladores PWM de comutação síncronos ou convencionais. Ele foi otimizado para baixa carga de gate, RDS baixo (ON) e velocidade de comutação rápida.

APLICAÇÕES

Sistema alimentado

Conversor DC / DC

Interruptor de carga

CARACTERÍSTICAS

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Design de célula de alta densidade para RDS extremamente baixo (ON)

Excepcional resistência à corrente e capacidade máxima de corrente contínua

Design de embalagem SOT-23-6L

CONFIGURAÇÃO DO PINO (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin	Symbol	Description
1	D	Drain
2	D	Drain
3	G	Gate
4	S	Source
5	D	Drain
6	D	Drain

O RING ING EM F O R M A T I O N

Part Number	Package	Part Marking
SPN2326S26RGB	SOT-23-6L	26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s O U T r i s e w N O T d e)

Parameter		Symbol	Typical	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	110	V
Gate –Source Voltage		VGSS	±20	V
Continuous Drain Current(TJ=150℃)	TA=25℃	ID	3.0	A
	TA=70℃		2.0
Pulsed Drain Current		IDM	10	A
Power Dissipation	TA=25℃	PD	2.0	W
	TA=70℃		1.3
Operating Junction Temperature		TJ	-55/150	℃
Storage Temperature Range		TSTG	-55/150	℃
Thermal Resistance-Junction to Ambient		RθJA	62.5	℃/W

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ	Max.	Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250uA	110			V
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250uA	1	2.0	2.5	V
Gate Leakage Current	IGSS	VDS=0V,VGS=±20V			±100	nA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V			1	uA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V TJ=125℃			5	uA
On-State Drain Current	ID(on)	VDS≥5V,VGS =10V	3.0			A
Drain-Source On-Resistance	RDS(on)	VGS= 10V,ID=3A		0.26	0.31	Ω
Forward Transconductance	gfs	VDS=10V,ID=3A		2.4		S
Diode Forward Voltage	VSD	IS=1A,VGS =0V			1.2	V
Dynamic
Total Gate Charge	Qg	VDS=80V,VGS=10V ID= 5A		9	13	nC
Gate-Source Charge	Qgs			2
Gate-Drain Charge	Qgd			1.4
Input Capacitance	Ciss	VDS=25,VGS=0V f=1MHz		508		pF
Output Capacitance	Coss			29
Reverse Transfer Capacitance	Crss			16.5
Turn-On Time	td(on)	VDD=50V,RL=10Ω ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω		2		nS
Turn-On Time	tr			21.5
Turn-Off Time	td(off)			11.2
Turn-Off Time	tf			18.8