Mosfet de potência smd 110v STC2326

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    Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

Modelo: YZPST-STC2326

Additional Info

produtividade: 1000

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto

B triacs da série TA30

YZPST-STC2326

DESCRIÇÃO


O STC2326 é o transistor de efeito de campo de potência do modo de aprimoramento lógico de canal N, que é produzido usando tecnologia de trincheira DMOS de densidade celular super alta. O STC2326 foi projetado especificamente para melhorar a eficiência geral dos conversores DC / DC usando controladores PWM de comutação síncronos ou convencionais. Ele foi otimizado para baixa carga de gate, RDS baixo (ON) e velocidade de comutação rápida.

APLICAÇÕES


Sistema alimentado

Conversor DC / DC

Interruptor de carga


CARACTERÍSTICAS

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Design de célula de alta densidade para RDS extremamente baixo (ON)

Excepcional resistência à corrente e capacidade máxima de corrente contínua

Design de embalagem SOT-23-6L


CONFIGURAÇÃO DO PINO (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RING ING EM F O R M A T I O N

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s O U T r i s e w N O T d e)

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

imagem de Produto

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