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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139
Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139
Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139

Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
Baixar:

Informação básica

    Modelo: YZPST-BD139

Additional Info

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto


Transistor de baixa tensão complementar


YZPST-BD139



Características


■ Os produtos são pré-selecionados em ganho de corrente DC



Aplicação


■ Uso geral


Descrição


Esses transistores planares epitaxiais são montados no pacote de plástico SOT-32. Eles são projetados para amplificadores e drivers de áudio utilizando circuitos complementares ou quase complementares. Os tipos NPN são o BD135 e o BD139, e os tipos complementares do PNP são o BD136 e o ​​BD140.




T a b le 1 D e v i c e s ummary

Order codes

Marking

Package

Packaging

BD135

BD135

 

SOT-32

 

Tube

BD135-16

BD135-16

BD136

BD136

BD136-16

BD136-16

BD139

BD139

BD139-10

BD139-10

BD139-16

BD139-16

BD140

BD140

BD140-10

BD140-10

BD140-16

BD140-16

T a b le 2. As potências máximas absolutas

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

Value

 

 

 

Unit

NPN

PNP

BD135

BD139

BD136

BD140

VCBO

Collector-base voltage (IE = 0)

45

80

-45

-80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

45

80

-45

-80

V

VEBO

Emitter-base voltage (IC = 0)

5

-5

V

IC

Collector current

1.5

-1.5

A

ICM

Collector peak current

3

-3

A

IB

Base current

0.5

-0.5

A

PTOT

Total dissipation at Tc   25 °C

12.5

W

PTOT

Total dissipation at Tamb   25 °C

1.25

W

Tstg

Storage temperature

-65 to 150

°C

Tj

Max. operating junction temperature

150

°C

T a b le 3. Dados térmicos

Symbol

Parameter

Max value

Unit

Rthj-case

Thermal resistance junction-case

10

°C/W

Rthj-amb

Thermal resistance junction-ambient

100

°C/W

Symbol

Parameter

Polarity

Test conditions

Value

Unit

Min.

Typ.

Max.

ICBO

Collector cut-off current (I =0)

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

0.1

10

µA

µA

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

-0.1

-10

µA

µA

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

10

µA

PNP

VEB = -5 V

-10

µA

VCEO(sus)(1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

45

80

V V

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

-45

-80

V V

VCE(sat) (1)

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

-0.5

V

VBE (1)

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

-1

V

hFE (1)

DC current gain

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

250

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

250

hFE (1)

hFE groups

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

63

100

160

250

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

63

100

160

250


T a b le 4. on / off estados

 

Symbol

 

Parameter

 

Polarity

 

Test conditions

Value

 

Unit

Min.

Typ.

Max.

 

 

ICBO

 

 

Collector cut-off current (I =0)

 

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

 

 

0.1

10

µA

µA

 

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

 

 

-0.1

-10

µA

µA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

 

 

10

µA

PNP

VEB = -5 V

 

 

-10

µA

 

 

 

 

VCEO(sus)(1)

 

 

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

 

 

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

 

 

45

80

 

 

 

 

V V

 

 

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

 

 

-45

-80

 

 

 

 

V V

 

VCE(sat) (1)

 

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

 

 

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

 

 

-0.5

V

 

VBE (1)

 

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

 

 

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

 

 

-1

V

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

DC current gain

 

 

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

hFE groups

 

 

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

 

 

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

transistor BD139 (1)


transistor BD139 (2)




Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

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