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Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139

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    Tempo de entrega: 30 dias

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Informação básica

Modelo: YZPST-BD139

Additional Info

produtividade: 1000

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto


Transistor de baixa tensão complementar


YZPST-BD139



Características


■ Os produtos são pré-selecionados em ganho de corrente DC



Aplicação


■ Uso geral


Descrição


Esses transistores planares epitaxiais são montados no pacote de plástico SOT-32. Eles são projetados para amplificadores e drivers de áudio utilizando circuitos complementares ou quase complementares. Os tipos NPN são o BD135 e o BD139, e os tipos complementares do PNP são o BD136 e o ​​BD140.




T a b le 1 D e v i c e s ummary

Order codes

Marking

Package

Packaging

BD135

BD135

 

SOT-32

 

Tube

BD135-16

BD135-16

BD136

BD136

BD136-16

BD136-16

BD139

BD139

BD139-10

BD139-10

BD139-16

BD139-16

BD140

BD140

BD140-10

BD140-10

BD140-16

BD140-16

T a b le 2. As potências máximas absolutas

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

Value

 

 

 

Unit

NPN

PNP

BD135

BD139

BD136

BD140

VCBO

Collector-base voltage (IE = 0)

45

80

-45

-80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

45

80

-45

-80

V

VEBO

Emitter-base voltage (IC = 0)

5

-5

V

IC

Collector current

1.5

-1.5

A

ICM

Collector peak current

3

-3

A

IB

Base current

0.5

-0.5

A

PTOT

Total dissipation at Tc   25 °C

12.5

W

PTOT

Total dissipation at Tamb   25 °C

1.25

W

Tstg

Storage temperature

-65 to 150

°C

Tj

Max. operating junction temperature

150

°C

T a b le 3. Dados térmicos

Symbol

Parameter

Max value

Unit

Rthj-case

Thermal resistance junction-case

10

°C/W

Rthj-amb

Thermal resistance junction-ambient

100

°C/W

Symbol

Parameter

Polarity

Test conditions

Value

Unit

Min.

Typ.

Max.

ICBO

Collector cut-off current (I =0)

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

0.1

10

µA

µA

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

-0.1

-10

µA

µA

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

10

µA

PNP

VEB = -5 V

-10

µA

VCEO(sus)(1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

45

80

V V

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

-45

-80

V V

VCE(sat) (1)

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

-0.5

V

VBE (1)

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

-1

V

hFE (1)

DC current gain

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

250

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

250

hFE (1)

hFE groups

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

63

100

160

250

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

63

100

160

250


T a b le 4. on / off estados

 

Symbol

 

Parameter

 

Polarity

 

Test conditions

Value

 

Unit

Min.

Typ.

Max.

 

 

ICBO

 

 

Collector cut-off current (I =0)

 

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

 

 

0.1

10

µA

µA

 

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

 

 

-0.1

-10

µA

µA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

 

 

10

µA

PNP

VEB = -5 V

 

 

-10

µA

 

 

 

 

VCEO(sus)(1)

 

 

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

 

 

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

 

 

45

80

 

 

 

 

V V

 

 

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

 

 

-45

-80

 

 

 

 

V V

 

VCE(sat) (1)

 

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

 

 

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

 

 

-0.5

V

 

VBE (1)

 

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

 

 

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

 

 

-1

V

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

DC current gain

 

 

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

hFE groups

 

 

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

 

 

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

transistor BD139 (1)


transistor BD139 (2)




Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

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  • Transistor de potência de uso geral de baixa tensão BD139
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