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Carga eletrônica 85N03 do Mosfet do isqueiro de cigarro 85A

    Preço unitário: USD 0.299 / Piece/Pieces
    Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Quantidade de pedido mínimo: 1000 Piece/Pieces
    Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

Modelo: YZPST-85N03

Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

Isqueiro eletrônico Mosfet

YZPST-85N03

Mosfet eletrônico 85N03 do interruptor da carga de Mosfet do isqueiro de cigarro 85A

VDSS30V

RDS(ON) 2.3mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 3.0mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 85A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST85N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE 3

 

ID

85

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE 3

68

A

Drain Current-Pulsed NOTE 1

IDM

320

A

Avalanche Current, L=0.1mH

IAS

50

A

Avalanche Energy, L=0.1mH

EAS

125

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25

 

PD

60

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25

5.7

W

Storage Temperature Range

TSTG

-50 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-50 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE2

RθJA

Steady State

-

-

22

°C/W

Maximum Junction-to-Case

RθJC

Steady State

-

-

2.1

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=30V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=16A

-

1.75

2.3

 

mΩ

VGS=4.5V , IDS=16A

-

2.6

3.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

-

5910

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

725

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

537

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=1A , RGEM=3.3Ω

-

20

-

 

ns

Rise Time

tr

-

6.5

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

122

-

Fall Time

tf

-

15

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=16A, VGS=10V

-

54

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

18

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

20.5

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS=0V, IS=4A

-

-

1.3

V

Body Diode Reverse Recovery Time

trr

If=10A, dl/dt=100A/μs, TJ=25°C

-

46

-

ns

Body Diode Reverse Recovery Charge

Qrr

-

38

-

nC

Notas:

1. Teste de pulso: Largura do pulso ≦ 300μs, Ciclo de trabalho ≦ 2%.

2. RΘJA é a soma da resistência térmica de junção a caso e de caso a ambiente, em que a referência térmica da caixa é definida como a superfície de montagem da solda dos pinos de drenagem. O RΘJC é garantido pelo projeto, enquanto o RΘCA é determinado pelo design da placa do usuário. RΘJA mostrado abaixo para operação de um único dispositivo no FR-4 em

ar parado.

3. A classificação máxima atual é limitada por pacote.


Mosfet 85N03 (1)Mosfet 85N03 (2)Mosfet 85N03 (3)Mosfet 85N03 (4)



Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

imagem de Produto

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