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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Isqueiro eletrônico do cigarro 30V Mosfet 80N03
Isqueiro eletrônico do cigarro 30V Mosfet 80N03

Isqueiro eletrônico do cigarro 30V Mosfet 80N03

Preço unitário: USD 0.23 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1000 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-80N03

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Isqueiro eletrônico Mosfet

YZPST-80N03


VDSS 30V

RDS(ON) 4mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 6mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 100A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST 80N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE1, 6

 

ID

100

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE1, 6

80

A

Drain Current-Continuous @ TA=25 NOTE1

 

ID

20

A

Drain Current-Continuous @ TA=100 NOTE1

15

A

Drain Current-Pulsed NOTE 2

IDM

216

A

Avalanche Current

IAS

53.8

A

Avalanche Energy NOTE 3

EAS

144.7

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25 NOTE4

 

PD

69

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25 NOTE4

2

W

Storage Temperature Range

TSTG

-55 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-55 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE1

RθJA

Steady State

-

-

62

°C/W

Maximum Junction-to-Case NOTE1

RθJC

Steady State

-

-

1.8

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=24V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance NOTE2

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=30A

-

-

4

mΩ

VGS=4.5V , IDS=20A

-

-

6

mΩ

Forward Transconductance

gfs

VDS=5V , ID=30A

-

26.5

-

S

Gate Resistance

Rg

VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

-

1.4

-

Ω

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

-

3080

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

410

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

316

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=15A , RGEM=3.3Ω

-

9.6

-

 

ns

Rise Time

tr

-

20.8

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

58

-

Fall Time

tf

-

16

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=15A, VGS=4.5V

-

32

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

9.1

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

12.2

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage 2

VSD

VGS=0V, IS=1A

-

-

1.0

V

Continuous Source Current NOTE1, 5

IS

 

VG=VD=0V , Force Current

-

-

100

A

Pulsed Source Current NOTE2,5

ISM

-

-

216

A

Notas:

1. Os dados testados pela superfície montada em uma placa de 1 polegada2 FR-4 com cobre 2OZ.

2. Os dados testados por pulso, largura de pulso ≦ 300us, ciclo de trabalho ≦ 2%

3. Os dados do EAS mostram máx. Avaliação. A condição de teste é VDD = 25V, VGS = 10V, L = 0.1mH, IAS = 53.8A

4. A dissipação de energia é limitada pela temperatura de junção de 175 ℃

5. Os dados são teoricamente os mesmos que ID e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação total de energia.

6. Corrente de limitação do pacote é 85A.wer dissipação.

Mosfet 80n03 (1)Mosfet 80n03 (2)Mosfet 80n03 (3)Mosfet 80n03 (4)


Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

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