YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940
Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940
Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940
Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940
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Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940

Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade 2SA940

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-2SA940

marcaYzpst

VCBO-150V

VCEO-150V

VEBO-5V

IC-1.5A

PTOT25W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
Baixar :
Transistor do tipo PNP de alta confiabilidade YZPST-2SA940
Descrição do produto


Transistor do tipo PNP 2SA940

Description:
O 2SA940 é um transistor do tipo PNP, usado como um tubo de chave de energia para reatores eletrônicos e lâmpadas eletrônicas de economia de energia. Possui as características de baixa perda de comutação, alta confiabilidade, boas características de alta temperatura, velocidade de comutação adequada, alta tensão de ruptura, baixo vazamento reverso, etc.
high reliability PNP Type Transistor 2SA940


Classificações absolutas de mamãe

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

25

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Stora-1.5ge Temperature Range

-55150

Características elétricas (TC = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=-1mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=-150V, IE=0

 

 

-5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=-150V, IC=0

 

 

-5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=-5V, IC=0

 

 

-5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=-10V, IC=-0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Pacote de dados mecânicos

TO220 PNP Type Transistor

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