YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> Transistores de potência de silício NPN MJE2955T complementares para MJE3055T
Transistores de potência de silício NPN MJE2955T complementares para MJE3055T
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Transistores de potência de silício NPN MJE2955T complementares para MJE3055T

Transistores de potência de silício NPN MJE2955T complementares para MJE3055T

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MJE2955T

marcaYzpst

VCBO-70V

VCEO-60V

VEBO-5V

IC-10A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55-150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
Baixar :
YZPST-MJE2955T NPN SILICON POWER DO POWER DO MJE29
Descrição do produto


Transistores de potência de silício PNP MJE2955T

Description:
O MJE2955T é um transistor PNP, que é complementar ao MJE3055T e é usado nos circuitos de amplificação de potência e potência de áudio.

Formulário de embalagem: TO-220

TO220 Silicon Power Transistors MJE2955T

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-70

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-10

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150




Características elétricas (TC = 25 ° C, a menos que o contrário Especificadas)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -10mA

-70

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -200mA

-60

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -10mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -70V

 

 

1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V

 

 

5

mA

hFE

DC Current Gain

IC= -4A,VCE= -4V

20

 

100

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -4A,IB= -0.4A

 

 

-1.1

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -4A,IB= -4A

 

 

-1.8

V

fT

Transition Frequency

VCE=10V, IC=0.5A f=1MHZ

2

 

 

MHZ

aPulse Testtp ≤300usδ≤2%

Pacote mecânico DADOS

MJE2955T Complementary to MJE3055T TO220


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