YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> Transistores de potência de silício NPN 13005D
Transistores de potência de silício NPN 13005D
Transistores de potência de silício NPN 13005D
Transistores de potência de silício NPN 13005D
Transistores de potência de silício NPN 13005D
Transistores de potência de silício NPN 13005D

Transistores de potência de silício NPN 13005D

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-13005D

marcaYzpst

VCBO700V

VCEO400V

VEBO9V

IC3A

Icm6A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
Baixar :
Transistores de potência de silício NPN YZPST-13005D
Descrição do produto

Transistores de potência de silício NPN 13005D
● Description:
O 13005D é um transistor NPN usado em reatores eletrônicos e salfos de economia eletrônica de energia. Possui as características de baixa perda de comutação, alta confiabilidade, boas características de alta temperatura, velocidade de comutação adequada, alta tensão de ruptura e baixo vazamento reverso.

Silicon Power Transistors

● Classificações absolutas de mamãe max i

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

700

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

9

V

IC

Continuous Collector Current

3

A

Icm

Collector Pulse CurrentTp5ms

6

A

PTOT

 

Total dissipation at Tcase=25 ℃

TO-126SD

50

W

TO-220

75

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55150

● Características elétricas (TC = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 700 VIE=0

 

 

0.1

mA

ICEO

Base Cutoff Current

VCE= 400 VIc=0

 

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 9 VIC=0

 

 

0.1

mA

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

700

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

400

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IB= 0.1mA

9

 

 

V

hFE

DC Current Gain

IC= 0.5A,VCE= 5V

15

 

35

 

a

VCE sat

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1

V

a

VBE sat

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1.5

V

ts

Storage Time

UI9600Ic=0.5A

2

 

7

us

fT

Transition Frequency

VCE=10VIC=0.2A F=1MHz

5

 

 

MHz

aPulse Testtp 300usδ≤2%

● Dados mecânicos do pacote

Silicon Power TransistorsNPN Silicon Power Transistors

苏ICP备05018286号-1
Enviar Inquérito
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

enviar