YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073
TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073
TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073
TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073
TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073
TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073

TO220 TIPO NPN transistor 2SC2073

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-2SC2073

marcaYzpst

VCBO150V

VCEO150V

VEBO5V

IC1.5A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55-+150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
Baixar :
YZPST-2SC2073 TO220 TIPO NPN TIPO 2SC2073
Descrição do produto

Tipo NPN Transistor 2SC2073

Description:
O 2SC2073 é um transistor do tipo NPN, usado como um tubo de chave de energia para reatores eletrônicos e lâmpadas eletrônicas de economia de energia. Possui as características de baixa perda de comutação, alta confiabilidade, boas características de alta temperatura, velocidade de comutação adequada, baixo vazamento reverso, etc.
NPN Type Transistor

Classificações absolutas de mamãe

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Continuous Collector Current

1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150

Características elétricas (TC = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=1mA

150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=0.1mA

150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=1mA

-5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=150V, IE=0

 

 

5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=150V, IC=0

 

 

5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=5V, IC=0

 

 

5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=10V, IC=0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Pacote de dados mecânicos

NPN Type Transistor


苏ICP备05018286号-1
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