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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristor de parafuso prisioneiro tipo KP300A1600V ST330S16

Tiristor de parafuso prisioneiro tipo KP300A1600V ST330S16

Preço unitário: USD 35 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 20 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-ST330S16

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristores de Controle de Fase

YZPST-ST330S16

Características

● Configuração de gate de amplificação central

● encapsulamento ligado por compressão

● Alta capacidade de dV / dt

● Tipo de pino, polegada de rosca ou métrica

Aplicações Típicas
● Comutação de energia média
● fontes de alimentação CC

Classificações e características máximas

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

ITAV

Mean on-state current

330

A

Sinewave,180° conduction,Tc=75

ITRMS

RMS value of on-state current

520

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

9000

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I2t

I square t

405

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

600

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

VTM

Peak on-state voltage

1.51

V

ITM = 1040 A; Duty cycle £ 0.01%

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

1000

A/ms

Tj =100 oC V D= 1/2VDRM, ITM=(2x ITAV) A

Gate pulse:tw≥20μs, tr≤0.5μs fG=50Hz

IGM≥5 IGT

repetitive

-

BLOCKING

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

1600

V

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

1700

V

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

50

mA

Tj = 100 oC ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

500

V/ms

Tj = 100 oC VD =0.67 VDRM  Gate open

TRIGGEING

PG(AV)

Average gate power dissipation

2.0

W

PGM

Peak gate power dissipation

10

W

IGM

Peak gate current

3.0

A

IGT

Gate trigger current

200

mA

TC = 25 oC

VGT

Gate trigger voltage

3.0

V

TC = 25 oC

VGD

Gate non-trigger voltage

0.25

V

Tj = 125 oC

SWITCHING

tq

Turn-off time

100

ms

Qrr

Reverse recovery charge

-



Térmica e Mecânica

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

oC

Tstg

Storage temperature

-40~150

oC

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.1

K/W

DC operation ,Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

0.03

K/W

Single sided cooled

P

Mounting force

48.5

Nm

W

Weight

530

g

about

ESBOÇO

Thyristors ST330S16(2)

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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