Comunique-se com o fornecedor? fornecedor
John chang Mr. John chang
O que posso fazer por você?
conversar Agora Fornecedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Produto

Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase > Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência

Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência
Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência
Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência

Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
Baixar:

Informação básica

    Modelo: YZPST-KP738LT

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Controle de Fase de Tiristor de Alta Potência

PST-KP 738LT

KP738LT thyristor


Características: . Toda estrutura difusa . Configuração de Gate de Amplificação Linear . Capacidade de bloqueio até 22 00 volts

. Tempo de desligamento máximo garantido . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3200


A

Sinewave,180o conduction,Ths=85oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

45000


41500

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     400

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     100

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.30


V

ITM = 2000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      150


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt


      100


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

15

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

4


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


15


V



Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    3.0

2.5

ms

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

     400


250

ms

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery current

Irr

 

      200


A

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.012


 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)


0.002


 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

 8000

 35.5

10000

44.4

 

lb.

kN


Weight

W



  3.5

1.60

Lb.

Kg.


* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos


ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

High Power Thyristor Phase Control PST-KP738LT

 High power thyristor phase control

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

Enviar Inquérito

John chang

Mr. John chang

E-mail:

info@yzpst.com

Enviar Inquérito

Número De Telefone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Celular:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail:info@yzpst.com

Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1