Comunique-se com o fornecedor? fornecedor
John chang Mr. John chang
O que posso fazer por você?
conversar Agora Fornecedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Driver de tiristor certificado de 5200V bv
Driver de tiristor certificado de 5200V bv
Driver de tiristor certificado de 5200V bv
Driver de tiristor certificado de 5200V bv

Driver de tiristor certificado de 5200V bv

Preço unitário: USD 400 - 650 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias
Baixar:

Informação básica

    Modelo: YZPST-5STP34N5200

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

    VRRM: 5200V

    VDRM: 5200V

    VRSM: 5300V

    DV/dt: 2000 V/sec

    IT(AV)M: 3600A

    ITRMS: 5850A

    TJ: -40-+125℃

    Tstg: -40-+140℃

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristor de alta potência para controle de fase

YZPST-5STP34N5200



Recursos:

. Toda a estrutura difusa

. Configuração da porta de amplificação central

. Tempo máximo de desligamento garantido

. Alta capacidade dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

Estado de bloqueio - desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

5200

5200

5300

V RRM = tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Tensão no estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

30 mA

95mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

2000 V/msec

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IT(AV)M

 

3600

 

A

Sinewave,180o conduction TC = 70 oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

5850

 

A

Nominal value

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

ITSM

 

63

 

kA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

19.8×103

 

kA2s

Latching current

IL

 

500

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

125

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.54

 

V

ITM =3000 A; Tvj=125

Threshold voltage

VTO

 

1.03

 

V

Tvj=125

Slope resistance

Rt

 

0.16

 

mΩ

Tvj=125

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES (continuação)

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

7

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

-

2.6

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

10

 

V

 

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

 

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

700

 

ms

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 67% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

5200

 

mAs

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V

* Para máx. Garantida valor, entre em contato com a fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

5.7

11.4

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

1

2

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

81

108

-

kN

 

Weight

W

-

-

2.9

Kg

 

* Superfícies de montagem lisas, planas e lubrificadas

Nota: para obter detalhes e dimensões da caixa, consulte o desenho da última página deste Dados Técnicos.

THYRISTOR 5STP34N52 (3)


Sym

A

B

C

D

H

mm

150

100

108

3.5×3

35±1




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

Enviar Inquérito

John chang

Mr. John chang

Número De Telefone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Celular:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail:info@yzpst.com

Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1