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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristor de controle de potência 6500V hvdc thyristor KP1500

Tiristor de controle de potência 6500V hvdc thyristor KP1500

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-KP1500A6500V-1

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristores de Controle de Potência

YZPST-KP1500A6500V

Tiristor de controle de potência 6500V hvdc thyristor KP1500

Características: Configuração do Gate de Amplificação de Raios. Alta capacidade de dV / dt. Toda estrutura difusa. Dispositivo montado sob pressão.


Power Control Thyristor

Condução - no estado


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

 1500


A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  2800


A

Nominal value

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

30000


27000

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

10x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

    1500

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     250

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


2.20


V

ITM = 3000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt


      300


A/ms

Switching from VDRM£ 800 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt


      100


A/ms

Switching from VDRM£ 800 V



Gating


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

20

 

A


Gate current

IGT

 

300 

 

mA


Gate voltage

VGT

0.30

3.5 

 

V



Dinâmico


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 



ms


Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 



 

ms




CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.012


 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)


0.002


 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

 8000


10000


 

lb.

kN


Weight

W




Lb.

Kg.


* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho de contorno do caso

Power Control Thyristor 1500A for Phase Control




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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