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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Controle de tiristores Dispositivo montado sob pressão

Controle de tiristores Dispositivo montado sob pressão

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-DCR1020SF65-1

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9000

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Tiristores de alta potência

YZPST-DCR1020SF65-1

aplicação dos tiristores Controle do tiristor do motor dc Pressão do tiristor do dispositivo montadoTodas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em adição

até o obtido de um circuito de amortecimento, compreendendo um capacitor de 0,2 F e uma resistência de 20 ohms em paralelo com o comutador sob teste.

Características:. Toda estrutura difusa . Configuração do Gate de Amplificação Central . Capacidade de bloqueio até 4200 volts

. Tempo de desligamento máximo garantido . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão

 High Power Thyristor

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

 

IT(AV)

 

 

640

 

 

A

Sinewave,180o

conduction,T =60oC

c

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1005

 

A

Nominal value

 

 

 

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

 

 

 

ITSM

 

 

-

 

8.5

 

 

KA KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

I square t

I2t

 

0.36x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

600

 

mA

VD  = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

200

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

 

Peak on-state voltage

 

VTM

 

 

3.6

 

 

V

ITM  = 1800 A; Duty cPSTCle

0.01%; T = 25 oC

j

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

 

di/dt

 

 

-

 

 

A/  s

Switching from VDRM     1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

 

di/dt

 

 

100

 

 

A/  s

 

Switching from VDRM     1000 V

E L E CTR I C A L CH A A C R T E R IS T I S C A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 


G a t i n g

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

 

Delay time

 

td

 

 

-

 

0.5

 

s

ITM  = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1   s; tp = 20   s

 

Turn-off time (with VR  = -50 V)

 

tq

 

 

-

 

600

 

s

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s;

VR        -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/  s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

j

0.01%

 

Reverse recovery charge

 

Qrr

 

 

*

 

 

C

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s; VR        -50 V

* F o r gu a r a n t eed m a x . v a lu e , c on t a c t f a c t o r y.

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A G CH A A C R T E R IS T I S C A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-40

 

+125

 

 

oC

 

 

Thermal resistance - junction to case

 

R  (j-c)

 

0.022

0.052

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

 

Thermal resistamce - case to sink

 

R  (c-s)

 

0.004

0.008

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

 

Thermal resistamce - junction to sink

 

R  (j-s)

 

-

-

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

 

* H OU n t i ng s ur f a c es s oo m t h, f l a t e g r e a s ed

ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

 High Power Thyristor

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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