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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Tiristor 60mA assimétrico VRRM 30V
Tiristor 60mA assimétrico VRRM 30V
Tiristor 60mA assimétrico VRRM 30V
Tiristor 60mA assimétrico VRRM 30V

Tiristor 60mA assimétrico VRRM 30V

Preço unitário: USD 48 - 60 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-A1237NC280

    IT(AV): 1237A

    VTM: ≤2.7V

    VDRM / VDSM: 2800V

    IDRM: 60mA

    IRRM: 10mA

    Tjm: -40~125℃

    VRRM / VRSM: 30V

Additional Info

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto


Tiristor assimétrico

YZPST-A1237NC280

A empresa de tiristores assimétricos 25V passou na certificação do sistema de qualidade ISO9001 e a qualidade é garantida. Adequado para suas necessidades de SCR.

Estado de bloqueio - desativado

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Tensão no estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, a menos que

indicado de outra forma.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o

faixa de temperatura de -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. máx. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para linear e exponencial

formato de onda com 80% de classificação V DRM . Portão aberto.

Tj = 125 o C.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com

com padrão EIA / NIMA RS-397, seção

5-2-2-6. O valor definido estaria em adição

em relação ao obtido de um circuito amortecedor,

compreendendo um capacitor de 0,2 mF e 20 ohms

resistência em paralelo com o thristor sob

teste.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor Assimétrico

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