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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristor assimétrico profissional 341A do preço chinês

Tiristor assimétrico profissional 341A do preço chinês

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-KN341A24

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto


Tiristor Assimétrico

YZPST-KN341A24


Aplicações de tiristores assimétricos




Características:. Toda estrutura difusa . Configuração do Gate de Amplificação Central . Capacidade de bloqueio até 2000 volts

. Tempo de desligamento máximo garantido . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS


Bloqueio - estado desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

10

2400/2800

10

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

40 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em acréscimo ao obtido a partir de um circuito de amortecimento

compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

341

A

Sinewave,180o conduction,Tc =85oC

RMS value of on-state current

ITRMS

1040

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

5700

A

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.5

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.45

V

ITM = 1000 A; Duty cycle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

2000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

10

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

-

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

-

55

ms

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - case to

sink

RQ (c-s)

-

-

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to sink

RQ (j-s)

50

100

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

5

9

-

kN

Weight

W

-

g




Asymmetric thyristor YZPST-KN341A24




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor Assimétrico

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