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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Logotipo personalizado design original palavras-chave tiristor assimétrico

Logotipo personalizado design original palavras-chave tiristor assimétrico

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-KN1000A28-BSTR62186

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Tiristores assimétricos

YZPST-KN1000A28-BSTR62186

CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Tiristores assimétricos Tipo: KN1000A28-BSTR62186

Notas:

Todas as classificações estão especificadas para Tj = 25 oC, a menos que

declarado de outra forma.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para linear e exponencial

onda para 80% avaliado VDRM. Portão aberto.

Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade

com padrão EIA / NIMA RS-397, Seção

5-2-2-6. O valor definido seria em adição

à obtida a partir de um circuito de amortecimento

compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms

resistência em paralelo com o thristor sob

teste.


Bloqueio - estado desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

20

2800

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

2200

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

20

 

 

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.42

 

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

700

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

300

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

-

3.0

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

55

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

0.02

0.04

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

about

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na última página deste Dados técnicos



Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor Assimétrico

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