Venda tiristores assimétricos 438A aplicações
obtenha o ultimo preçoTipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-KN358A10
marca: YZPST
Aplicações de tiristores assimétricos
Aplicações tiristores assimétricas 15V de características:. Configuração do Gate de Amplificação Central . Tempo de desligamento máximo garantido
. Toda a estrutura difusa . Capacidade de bloqueio até 2000 volts
. Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão
CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS
Bloqueio - estado desativado
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
15 |
1000 |
15 |
V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo
V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo
V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
5 mA 40 mA (3) |
Critical rate of voltage rise (4) |
dV/dt |
1000 V/msec |
Notas:
Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.
(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60Hz sobre a faixa de temperatura de -40 a +125 oC.
(2) 10 ms. max. largura do pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em acréscimo ao obtido a partir de um circuito de amortecimento
compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms de resistência em paralelo com o thristor sob teste.
Condução - no estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
438 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc =85oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
900 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
5500 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.5 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.1 |
|
V |
ITM = 1500 A; Duty cycle £ 0.01%
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300
|
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 2.7
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
- |
|
V |
|
Dinâmico
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
|
1 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
- |
- |
15 |
ms |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c)
|
|
|
53 - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
|
- - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
|
- - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
5 |
9 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.