YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Transistor de silício> Tecnologia de parada de campo de trincheira 600V IGBT 6A
Tecnologia de parada de campo de trincheira 600V IGBT 6A
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Tecnologia de parada de campo de trincheira 600V IGBT 6A

$0.33100-999 Piece/Pieces

$0.28≥1000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:Shanghai
Atributos do produto

ModeloYZPST-6H60CX1G3

marcaYZPST

Lugar De OrigemChina

Product NameHigh Speed Switching 600v 15a Igbt To-220f

VCES600v

VGES±20v

IC12a

ICM6a

IF18a

TJ-40 To +175℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem de proteção de plástico
Baixar :
Descrição do produto


Trench Field-Stop Technology IGBT

YZPST-6H60CX1G3

Recursos

600V, 6A

V CE (sat) (típico) = 1,75 V @V GE = 15 V, I C = 6A

Baixo Q g

Temperatura Máxima da Junção 175

Plaqueamento de chumbo sem chumbo; RoHS Compatível

Formulários

Conversores Solares

Energia ininterrupta Fornecem

Soldagem Conversores

Frequência de comutação de faixa média a alta Conversores

Principais parâmetros de desempenho e pacote

Order codes

VCE

IC

VCEsat, Tvj=25

Tvjmax

Marking

Package

60H060CX1R3

650V

6A

1.75V

175

6H60CX1R3

TO263-2L

60H060CX1G3

650V

6A

1.75V

175

6H60CX1G3

TO252-2L

Avaliações máximas absolutas

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCES

Collector-Emitter Voltage

600

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

 

IC

Continuous Collector Current (TC=25)

12

A

Continuous Collector Current (TC=100)

6

A

ICM

Pulsed Collector Current (Note 1)

18

A

 

PD

Maximum Power Dissipation (TC=25)

89

W

Maximum Power Dissipation (TC=100)

44

W

TJ

Operating Junction Temperature Range

-40 to 175

TSTG

Storage Temperature Range

-55 to 150

Informação do pacote
YZPST-6H60CX1G3-1.jpgYZPST-6H60CX1G3-2.jpg









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