Tiristor de condução reversa 2000V

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Modelo: YZPST-KT40BT-5STR03T2040

marca: YZPST

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Tipo de pacote	:	1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

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TIRISTORES REVERSOS CONDUTORES

YZPST-KT40BT-5STR03T2040

Características:
. Diodo de roda livre integrado
. Otimizado para baixas perdas dinâmicas

Bloqueio - estado desativado

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V _DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V _RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em adição àquele obtido de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohmsresistência em paralelo com o thristor sob teste.

Condução - no estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)_M I_F_(AV)_M		360 223		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		566 351		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM I_F_SM		5000 3500		A A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		125x10³ 61x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		500		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		100		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM V_F_M		2.61 3.42		V	I_TM = 1000 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		400		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		-		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		25		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		400		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		2.5		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		2		V

Dinâmico

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0		ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q		40	-	ms	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us, V_r=100V, V_dr=67%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+120		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c) R_Q_(j-c)_D		55 140 88 165		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		10 20		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	F	8	12	-	kN
Weight	W			-	Kg