Casa > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor Condutor Reverso (RCT) > Otimizado para baixas perdas dinâmicas tiristor RCT 2000V

Otimizado para baixas perdas dinâmicas tiristor RCT 2000V

    Preço unitário: USD 360 / Piece/Pieces
    Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Quantidade de pedido mínimo: 20 Piece/Pieces
    Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

Modelo: YZPST-KT50BT-5STR03T2040

Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

TIRISTORES REVERSOS CONDUTORES

YZPST-KT50BT-5STR03T2040

Características:
. Diodo de roda livre integrado
. Otimizado para baixas perdas dinâmicas

Bloqueio - estado desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para ondas lineares e exponenciais para 80% de VDRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com o Padrão EIA / NIMA RS-397, Seção 5-2-2-6. O valor definido seria em adição àquele obtido de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohmsresistência em paralelo com o thristor sob teste.

onducting - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us                                         

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos


REVERSE CONDUCTING THYRISTORS


Sym

A

B

C

D

H

mm

68

45

62

3.5×3

20±1

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor Condutor Reverso (RCT)

imagem de Produto

  • Otimizado para baixas perdas dinâmicas tiristor RCT 2000V
  • Otimizado para baixas perdas dinâmicas tiristor RCT 2000V
Enviar e-mail para este fornecedor
  • *Assunto:
  • *Mensagens:
    Sua mensagem deve estar entre 20-8000 caracteres
Comunique-se com o fornecedor?fornecedor
John chang Mr. John chang
O que posso fazer por você?
conversar Agora Fornecedor