Tipo de disco dV / dt alto Dispositivo de pressão montado com tiristor

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Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega:	30 dias

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Informação básica

Modelo: YZPST-KK2500A2500V

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 500

Certificados : ISO9001-2008

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA

YZPST-KK2500A2500V

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE

Características: . Toda a estrutura difusa . Configuração de Gate de Amplificação Interdigitada . Tempo de desligamento máximo garantido

. Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		2500		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		3900		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		45000 42000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		5.5x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		500		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.00		V	I_TM = 3000 A; Tj = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM£ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from V_DRM£ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		20		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300 200 125		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT	0.30	5 4		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V

Dinâmico

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		2.0		ms	I_TM = 50 A; V_D = 67% V_DRM Gate pulse: V_G = 30 V; R_G = 10 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q		80		ms	I_TM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400 V/ms linear to 67% V_DRM ; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery current	I_rr		200		A	I_TM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R³ -50 V; T_j = 125 ^oC

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_{Q (j-c)}		0.012		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_{Q (c-s)}		0.002		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	8000 35.5	10000 44.4		lb. kN
Weight	W			3.5 1.60	Lb. Kg.