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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Configuração do Captivty Disc Powerex Thyristor DCR804

Configuração do Captivty Disc Powerex Thyristor DCR804

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-DCR804

Additional Info

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Certificados : ISO9000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

CONTROLO DE FASE DO TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA

YZPST-DCR804


Características do Tiristor Powerex do Disco da Cápsula : Tempo Máximo Garantido de Desativação . Dispositivo montado sob pressão

. Toda estrutura difusa . Alta capacidade de dV / dt . Capacidade de bloqueio até 2000 volts . Configuração do Gate de Amplificação Central

DCR804SG2121

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE

Características:. Toda estrutura difusa . Configuração do Gate de Amplificação Central . Capacidade de bloqueio até 2000 volts

. Tempo de desligamento máximo garantido . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão


CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Bloqueio - estado desativado


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

 2000

2000

 2100

V RRM = Tensão reversa de pico repetitivo

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

35 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

200 V/msec

HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

900

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=67oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1400

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

13000

 

12000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

700

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

800

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

400

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.80

 

V

ITM = 2200A; Duty cPSTCle £ 0.01%

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

400

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

150

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES (cont`d)

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.15

5

3

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 


Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

1.5

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

200

 

125

ms

ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.040

0.080

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.015

0.030

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

13.3

15.5

 

kN

 

Weight

W

 

 

225

g

 

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na última página deste Dados técnicos


ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

Capsule Disc Powerex Thyristor DCR804

capsule disc powerex thyristor DCR804

Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor de Controle de Fase

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