YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Direções de BI Tiristor (TRIAC)> 16a BTB16-800BW 800V Uso TRIAC em carga indutiva
16a BTB16-800BW 800V Uso TRIAC em carga indutiva
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16a BTB16-800BW 800V Uso TRIAC em carga indutiva

$0.165000-9999 Piece/Pieces

$0.14≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-BTB16-800BW

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

IT(RMS)16A

VDRM800V

VRRM800V

VTM≤ 1.5v

Tstg-40~150℃

Tj-40~150℃

ITSM160A

I2t128A2s

DI/dt50A/μs

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
TRIAC BTB16-800BW TO220
Descrição do produto

YZPST-BTB16-800BW 800V BTB16-800BW 16A TRIAC

BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) Série 16 Atriacs

Descrição :


Com alta capacidade de suportar o carregamento de choque de grandes corrente, os triacs da série BTA16/BTB16 fornecem alta taxa de DV/dt com forte resistência à interface eletromagnética.

Com alto desempenho de comutação, três produtores de quadrantes são especialmente recomendados para uso em carga indutiva. Dos três terminais para dissipador de calor externo, o BTA16 fornece uma tensão de isolamento nominal de 2500 VRMs em conformidade com os padrões da UL

YZPST-BTB16-600B-1


Principais recursos :

symbol

value

unit

IT(RMS)

16

A

VDRM/VRRM

600/800/ 1200

V

VTM

≤ 1.5

V

Classificações máximas absolutas :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)

VDRM

600/800/ 1200

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)

VRRM

600/800/ 1200

V

RMS on-state current

IT(RMS)

16

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycleF=50Hz)

ITSM

160

 A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

128

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Características elétricas (TJ = 25c, a menos que especificado de outra forma)

3 quadrantes :

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 A
VGT RL=33Ω - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - MIN 0 2 V
IH IT=100mA MAX 15 25 40 60 A
- 20 30 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 25 40 60 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 100 200 500 1000 Vs

4 quadrantes :

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- 25 50 A
IGT VD=12V, 50 70 A
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 A
- 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 70 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 200 500 Vs

Características estáticas

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=22.5A   tp=380μs Tj=25C MAX 1.5 V
IDRM Tj=25C 5 A
IRRM VDRMVRRM Tj=125C MAX 1 A

Resistências térmicas


Symbol Test Condition Value Unit
Rth(j-c) TO-220A(Ins) 2.1 /W
TO-220B(Non-Ins) 1.3
TO-220F(Ins) 2.3
junction to case(AC) TO-263 2.4

INFORMAÇÕES SOBRE PEDIDOS
YZPST-BTB16-600B-2
Pacote de dados mecânicos
YZPST-BTB16-600B


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