1200V N-canal de silício Power MOSFET SIC MOSFET
$10100-999 Piece/Pieces
$6.5≥1000Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
$10100-999 Piece/Pieces
$6.5≥1000Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-M2G0080120D
marca: Yzpst
VDSmax: 1200V
Id: 42A
Pd: 208W
VGS,op: -5/+20V
VGSmax: -10/+25V
Unidades de venda | : | Piece/Pieces |
Tipo de pacote | : | 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica |
Baixar | : |
M2G0080120D
1200V N-canal de silício Power MOSFET SIC MOSFET
Características
• Pacote otimizado com pino de fonte de driver separado
• Alta tensão de bloqueio com baixa resistência
• Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
• Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação reversa (qrr)
• Fácil de paralelo
• ROHS compatível
Benefícios
• Maior eficiência do sistema
• Reduzir os requisitos de resfriamento
• Aumento da densidade de potência
• Permitindo maior frequência
• Minimize o toque do portão
• Redução da complexidade e custo do sistema
Formulários
• Modo de comutador Supplies de alimentação
• Conversores DC/DC
• Inversores solares
• Carregadores de bateria
• Unidades motoras
Classificações máximas (tc = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)
Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
f^DSmax | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | V | 海=0 V, /d=100 卩A | |
Id | Continuous Drain Current | 42 | A | 4s=20 V Tc=25 °C | Fig. 18 |
Pd | Power Dissipation | 208 | W | *=25 °C | Fig. 19 |
FgS,op | Recommend Gate Source Voltage | -0.25 | V | ||
J^Smax | Maximum Gate Source Voltage | -0.4 | V | AC (f>lHz) | Note 1 |
Tj, Tstg | Operating Junction and Storage Temperature Range | -55 to | °C | ||
175 | |||||
7l | Soldering Temperature | 260 | °C |
características elétricas
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
Static | |||||||
BVds | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | - | - | V | 4s=0 V, Zd=100 卩A | |
A)ss | Zero Gate Voltage Drain Current | — | 11 | 100 | 丹s=1200 V Pgs=0 V | ||
Igss | Gate-Source Leakage | — | 10 | 250 | nA | 4s=20 V | |
FGS(th) | Gate-Source Threshold Voltage | 2 | — | 4 | V | Id=5 mA, | Fig. 11 |
&DS(on) | Drain-Source On-Resistance | — | 78 | 100 | mQ | 国=20 V, Zd=20 A | Fig. 6 |
Dynamic | |||||||
Ciss | Input Capacitance | — | 1128 | PF | 4s=0 V,比s=1000 V | Fig. 17 | |
C^oss | Output Capacitance | — | 86 | f^l.OMHz,瓜=25 mV | |||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | — | 5 | ||||
Eoss | Coss Stored Energy | - | 44 | 卩J | Fig. 16 | ||
Qs | Total Gate Charge | — | 52 | nC | moo V | Fig. 12 | |
figs | Gate-Source Charge | - | 17 | 血=20 A | |||
Qgd | Gate-Drain Charge | - | 15 | Fgs=-5/+20 V | |||
td(cn) | Turn-on Delay Time | — | 41 | ns | 丹 s=800 V | ||
tr | Turn-on Rise Time | - | 21 | Fgs=-5/+20 V | |||
Turn-off Delay Time | — | 48 | Id=20A | ||||
tf | Turn-off Fall Time | — | 16 | Ro(ext)=2.5 Q | |||
RG(int) | Internal Gate Resistance | - | 4 | n | E.O MHz, Vac=25 mV |
Esquema do circuito de teste
Sic Mosfet
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.