YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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N-canal Modo aprimorado para 247 MOSFET
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N-canal Modo aprimorado para 247 MOSFET
N-canal Modo aprimorado para 247 MOSFET

N-canal Modo aprimorado para 247 MOSFET

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-STW20NM60

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VDSS600V

IDM78A

VGS±30A

EAS1284mJ

EAR97mJ

TSTG,TJ-55~+150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
Baixar :
Descrição do produto

Pro Misin G. CHI P YZPST -STW20NM60


N-canal Modo aprimorado para 247 MOSFET

Características

l High Rugge dness

l Lo w r ds (on) (Typ 0,22) @V GS = 10V

l Baixa Ga Te Cha rge (Typ 84NC)

eu Melhorar d dv/dt ca PA bilidade

eu 100% Ava la nche Te s te d

eu Aplicativo Lica ção: UPS , Assim, Carregar, PC Poder ,Inversor

Em geral Descrição

Este MOSFET de Power é produzido com tecnologia avançada de promissor Lasca.

este tecnologia permitir a potência MOSFET para tenho Melhor características, Incluindo velozes comutação Tempo, baixo sobre resistência, baixa carga do portão e especialmente excelente avalanche características.

Máximo absoluto Classificações

Symbol

Parameter

Value

Unit

VDSS

Drain to source voltage

600

V

 

ID

Continous drain current(@Tc=25)

20*

A

Continous drain current(@Tc=100)

12*

A

IDM

Drain current pulsed

78

A

VGS

Gate to source voltage

±30

V

EAS

Single pulsed avalanche energy

1284

mJ

EAR

Repetitive pulsed avalanche energy

97

mJ

dv/dt

Peak diode recovery dv/dt

5

V/ns

 

PD

Total power dissipation(@Tc=25)

42.3

W

Derating factor above 25

0.32

W/

TSTG,TJ

Operating junction temperature & storage temperature

-55~+150

TL

Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second

300

*A corrente de drenagem é limitada pela junção temperatura

Térmico características:

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthjc

Thermal resistance , Junction to case

3.1

/W

Rthja

Thermal resistance , Junction to ambient

49

/W

Nome do desenho

To-247-3l ( LL )

N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFETN-channel TO-247 MOSFET





苏ICP备05018286号-1
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