YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Diodo.> Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo
Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo

Alta eficiência 45V MK4045 Módulo Schottky Bypass Diodo

$0.32000-9999 Piece/Pieces

$0.27≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MK4045

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VRRM45V

VRMS31.5V

VDC45V

I(AV)40A

IFSM400A

TOP-55~+150℃

TJ≤ 200℃

Tstg-55~+150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Exemplo de imagem :
Baixar :
Módulo de diodo de desvio Schottky Mk4045
Descrição do produto

Módulo de diodo de desvio para PV


P/N: YZPST-MK4045
CARACTERÍSTICAS
Metal de retificador de silício, condução da portadora majoritária
Anel de guarda para proteção transitória
Baixa perda de energia, alta eficiência
Alta capacidade de corrente, baixa IR
Alta capacidade de onda
A característica reversa de alta temperatura é excelente para uso em proteção de células solares fotovoltaicas
Dados mecânicos
Caixa: plástico moldado, mt09e
Epóxi: UL 94V-O Taxa de chama retardador
Polaridade: como marcado
Posição de montagem: qualquer
Marca: MK4045
YZPST-MK4045



Classificações máximas e características elétricas
Classificações a 25 ℃ Temperatura ambiente, a menos que especificado de outra forma.
Fase, meia onda, 60Hz, carga resistiva ou indutiva.
Para carga capacitiva, a corrente deera em 20%.


Symbols

40MT045

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

VRRM

45

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

31.5

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

45

V

Maximum Average Forward Rectified Current at TC = 125°C

I(AV)

40

A

Peak Forward Surge Current,

 

 

 

8.3ms single half-sine-wave

IFSM

400

A

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

 

 

Maximum Forward

at IF  = 30A, TC  = 25°C

VF

0.55

 

 

at IF  = 40A, TC  = 25°C

0.59

V

Voltage (Note 1)

at IF  = 40A, TC  =125°C

0.47

 

Maximum Reverse Current

at TJ=25

IR

0.5

mA

at Rated DC Blocking Voltage

TJ=100

500

Typical Thermal Resistance

RθJC

1.2

/W

Operating Junction Temperature Range

TOP

-55 to +150

Junction Temperature in DC Forward Current Without Reverse Bias. T 1 hour (Note 3)

TJ

200

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +150

NOTAS:

1- 300US Largura do pulso, 2%do ciclo de trabalho.

2- junção de resistência térmica ao caso. Sem dissipador de calor.

3- atende aos requisitos da IEC 61215 ed. 2 Bypass Diodo Teste térmico.

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苏ICP备05018286号-1
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