YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Diodo.> Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo
Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo

Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo

$13.5100-999 Piece/Pieces

$9.6≥1000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Air,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MFC90-1200

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

IT(AV)90A

ITSM2000/1750A

I2t20000/15000A2 S

(Di/DT)cr100A/us

Viso2500V

Tj-40~+125℃

Tstg-40~+125℃

VDRM/VRRM1200/1200V

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Módulo de diodo MFC90-1200
Descrição do produto

YZPST-MFC90-1200

Tensão padrão 1200V MFC90-1200 Módulo de diodo

Características
Tensão padrão
Placa de base eletricamente isolada
Alta capacidade de pico
Articulações de soldado duro para alta confiabilidade

Aplicações típicas
Controle do motor CC (por exemplo, para máquinas -ferramentas)
AC Motor Soft Startters
Controle de temperatura (por exemplo, fornos, processos químicos)
Escurecimento de luz profissional (estúdios, teatros)

Classificações máximas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

ITAV

Single phase half wave 18conduction  Tc85

90

A

ITSM

Tj=25℃/Tj=125

2000/1750

A

I2t

Tj=25℃/Tj=125

20000/15000

A2 S

Di/DTcr

Tj=125

100

A/us

Viso

A.C.1min

2500

V

Tj

 

-40~+125

Tstg

 

-40~+125

W

 

100

g

Charaterisis elétrico tiques

Symbol

Condition

Ratings

Unit

VDRM/VRRM

 

1200/1200

V

IDRM

AtVDRM Single phase half wave Tj=125

20

mA

IRRM

AtVDRM Single phase half wave Tj=125

20

mA

VTM

On-State Current 300A Tj=25

1.75

V

IGT/VGT

Tj=25℃, IT=1A VD=6V

150/2.5

mA/V

VGD

Tj=125, VD=1/2VDRM

0.25

V

DV/DT

Tj=125, VD=2/3VDRM,

500

V/us

IH

Tj=25

200max

mA

IL

Tj=25

400max

mA

Rth(j-c)

Per module sin180

0.15

/W

Esboço do caso E dimensões

Case Outline And Dimensions

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苏ICP备05018286号-1
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