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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodos de solda do retificador padrão de alta potência ZP7100

Diodos de solda do retificador padrão de alta potência ZP7100

Preço unitário: USD 45 - 65 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-ZP7100-02

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: Shanghai

Descrição do produto

RETIFICADOR PADRÃO DO PODER ELEVADO DO PODER DA FINALIDADE GERAL

YZPST-ZP7100-02

Características:

. Toda estrutura difusa

. Alta taxa de surto

. Capacidade de bloqueio de até 400 volts

. Pacote hermético cerâmico robusto

. Dispositivo montado sob pressão


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES


Bloqueio reverso

Device Type

VRRM (1)

VRSM (1)

GMDZP7100-02

200

250

V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage

IRRM

50 mA (3)


Notes:

All ratings are specified for Tj=25 oC unless

otherwise stated.

(1) All voltage ratings are specified for an applied

  50Hz/60zHz sinusoidal waveform over the

      temperature range  -40 to +170 oC.

(2) 10 msec. max. pulse width

(3) Maximum value for Tj = 170 oC.

(4) See parameter definition below :

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)M

 

7110

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=85 oC

 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

IFSM

 

 55000

  

 

 

A

 

 

10.0 msec,VR=0V   Tvjmax

 

 

Peak on-state voltage

VFM

 

 1.10

 

V

IFM =5000A; Tj = 25 oC

 

Forward conduction thresheld voltage

Vo

 

0.726

 

V

Tj = 170 oC

 

Forward conduction slope resistance

r

 

0.024

 

mΩ

Tj = 170 oC

 

* Para valores máximos garantidos, entre em contato com a fábrica


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+170

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+170

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RQ (j-hs)

 

 

0.015

 

 

oC/W

Double side cooled

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

400

g

 

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

welding diodes ZP7100





Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de solda

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