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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodo de alta potência para soldagem de média frequência

Diodo de alta potência para soldagem de média frequência

Preço unitário: USD 150 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 10 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-53DN04

Additional Info

    Pacote: 1. embalagem anti-eletrostática 2. caixa da caixa

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Código HS: 85411000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

DIODO DE ALTA POTÊNCIA PARA SOLDADURA DE FREQUÊNCIA MÉDIA

SEM HABITAÇÃO DE DISPOSITIVO ULTRATHIN

YZPST-53DN04

Características

- Alta capacidade atual

- Impedância térmica muito baixa

- capacidade de ciclismo de alta potência

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

1

VRRM = Tensão reversa de pico repetitiva

VRSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 ° C, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de voltagem são especificadas para uma forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz aplicada

sobre a faixa de temperatura de -40 a +180 ° C.

(2) 10 ms máx. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 180 ° C

2

Conduzindo

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Average value of forward current

IF(AV)

6300

A

50Hz sinewave,180o conduction, Tc = 126 °C

RMS value of forward current

IF(RMS)

9890

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

70

kA

50Hz sinewave,180o conduction, Tj = Tjmax, VR = 0

I square t

I2 t

24500

kA2s

Tj = Tjmax

Peak forward voltage

VFM

1.14

V

Forward current 10 kA, Tjmax

Threshold voltage

VF(TO)

0.7

V

Tj = Tjmax

Forward slope resistance

rF

0.046

m

Tj = Tjmax

Características e classificações térmicas e mecânicas

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

180

°C

Storage temperature

Tstg

-40

180

°C

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0048

°C/W

Double side cooled , DC

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0062

°C/W

Double side cooled, 180° sin

Thermal resistance case to sink

Rth(c-s)

0.0025

°C/W

Double side cooled, mounting surfaces smooth, flat and greased

Mounting force

F

40

60

kN

Weight

W

100

g

3


Analytical expression for  Zth(j-c)

Zth(j-c) ( t ) =   i   Ai · ( 1 - exp ( - t /  i ) )

i

1

2

3

Ai

1.0E-03

3.7E-03

1.7E-06

C/W]

i

2.0E-03

3.8E-02

8.0E-01

[s]

Capacidade de corrente de saída (ID) para configuração de derivação central


4

56


ESBOÇO E DIMENSÕES

7

Aviso prévio

- Recomendamos proteger o diodo com um O-Ring resistente à temperatura.

- Todas as características fornecidas nesta folha de dados são garantidas apenas com força de fixação uniforme, superfícies de dissipação de calor limpas e lubrificadas com planicidade <0,03 mm e rugosidade <2µm





Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de solda

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