YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de disco semicondutores (tipo de cápsula)> Diodo de soldagem> Diodo de soldadura do isolador cerâmico de ZP18000A 400V
Diodo de soldadura do isolador cerâmico de ZP18000A 400V
Diodo de soldadura do isolador cerâmico de ZP18000A 400V
Diodo de soldadura do isolador cerâmico de ZP18000A 400V

Diodo de soldadura do isolador cerâmico de ZP18000A 400V

$55≥10Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:10 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-ZP18000-04

marcaYZPST

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
Descrição do produto

Diodos de soldagem

YZPST-ZP18000-04

Características:

Toda estrutura difusa

. Alta densidade atual

. Queda de tensão muito baixa no estado

. caixa de metal com isolador de cerâmica

. Resistência térmica ultra baixa

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Bloqueio - Estado Off

1

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Meio seno, f = 50 Hz, Tj = -40 a + 170 oC.

(2) Meio seno, 10 ms, Tj = -40 a + 170 oC.

(3) Temperatura máxima de junção: Tj = 170 oC.

(4) Os parâmetros são definidos abaixo:

2


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

3







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