YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Transistor de silício> TO-126 BD140-16 é o Silicon Epitaxial Planar PNP Transistores complementares NPN Tipos são os BD139-16
TO-126 BD140-16 é o Silicon Epitaxial Planar PNP Transistores complementares NPN Tipos são os BD139-16
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TO-126 BD140-16 é o Silicon Epitaxial Planar PNP Transistores complementares NPN Tipos são os BD139-16

$0.0310000-99999 Piece/Pieces

$0.02≥100000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-BD140-16

marcaYzpst

InscriçãoMicrofone, Não aplicável

Tipo De FornecimentoFabricante original, ODM, outro

Materiais De ReferênciaFicha de dados, foto, outro

Tipo De EmbalagemMontagem em Superfície

Método De InstalaçãoAtravés do orifício, Não aplicável

Função FETNão aplicável

ConfiguraçãoNão aplicável

VCBO-80V

VCEO-80V

VEBO-5V

IC-1.5A

IB-0.5A

Ptot12.5W

Tj150℃

Tstg-55~150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Transistor BD139-16 TO-126FCU
Descrição do produto

Transistor de silício PNP

YZPST-BD140-16

TO-126 BD140-16 é o Silicon Epitaxial Planar PNP Transistores complementares NPN Tipos são os BD139-16


DESCRIÇÃO

O BD140-16 é o Silicon Epitaxial Planar PNP Transistores

No pacote de plástico Jedec To-126, projetado para áudio

amplificadores e motoristas utilizando complementares ou quase

Circuitos de Commentário.

Os tipos complementares de NPN são os BD139-16

Yzpst Bd140 16 Jpg


Classificações máximas absolutas ( Ta = 25 o c)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

-80

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

-80

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5.0

V

Collector Current

IC

-1.5

A

Base Current

IB

-0.5

A

Total Dissipation at

Ptot

12.5

W

Max. Operating Junction Temperature

Tj

150

oC

Storage Temperature

Tstg

-55~150

oC

Características elétricas (TA = 25 O C)

Parameter Symbol Test   Conditions Min. Typ. Max. Unit
Collector Cut-off Current ICBO VCB  = -80V, IE  = 0 -10 μA
Emitter Cut-off Current IEBO
VEB  = -5.0V, IC  = 0 -10 μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC  = -1.0mA, IB  = 0 -80 V
VCE  = -2.0V, IC  = -0.15A 100 250
DC Current Gain hFE
VCE  = -2.0V, IC  = -0.5A 100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage IC  = -0.5A, IB  = -0.05A -0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC  = -0.5A, VCE  = -2.0V -1 V
fT
Transition Frequency VCE  = -5.0V,IC  = -50mA 80 MHz



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