YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Transistor de silício> SS8550 TO-92 Transistores Plastic-Encapsulate NPN
SS8550 TO-92 Transistores Plastic-Encapsulate NPN
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$9.550-499 Others

$8≥500Others

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-SS8550

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

PackageTO-92

VCBO-40V

VCEO-25V

VEBO-5V

IC-1.5A

PD1000mW

R θ JA125℃ / W

TJ,Tstg-55 -+150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : K pcs
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Transistor PNP SS8550 TO92
Descrição do produto
TO-92 Transistores-encapsulados plásticos
Transistor YZPST-SS8550 (PNP)
Características
Dissipação de energia

PC: 1W (TA = 25 ℃)

TO-92


O rder i ng Eu nf o rmat i o n

PartNumber

Package

PackingMethod

PackQuantity

SS8550

TO-92

Bulk

1000pcs/Bag

SS8550-TA

T0-92

Tape

2000pcs/Box

Max 1 mamãe Rato 1 Ngs ( T a = 25 a menos que caso observado )

symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-40

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-25

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current -Continuous

- 1.5

A

PD

Collector Power Dissipation

1000

mW

R θ JA

Thermal Resistance f rom Junction to Ambient

125

/ W

TJ,Tstg

Operation Junction  and Storage Temperature Range

-55 -150

T a = 25 , a menos que especificado de outra forma

Parameter symbol Test Min Typ Max Unit
 
 
 conditions
Collector.base V(BR)CBO IC=- 100uA, IE=0 -40 V
breakdown
voltage
Collector.emitter V(BR)CEO IC=-0. 1mA, IB=0 -25 V
breakdown voltage
Emitter.base V(BR)EBO IE=- 100uA, IC=0 -5 V
breakdown
voltage
Collector ICBO VCB=-40V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
current
Emitter ICEO VCE=-20V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
current
Emitter IEBO VEB=-5V, IC=0 -0. 1 uA
cut.off
current
DC hFE(1) VCE=- 1V, IC=- 100mA 85 400
current
gain hFE(2) VCE=- 1V, IC=-800mA 40
Collector.emitter VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -0.5 V
saturation
voltage
Base.emitter VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -1.2 V
saturation voltage
Base.emitter VBE(on) VCE=- 1V, IC=- 10mA -1 V
voltage
out Cob VCB=- 10V, IE=0mA,f=1MHZ 20 pF
capacitance
Transition fT VCE=- 10V, IC=-50mA,f=30MHZ 100 MHz
frequency

Para . 92 pacote contorno Dimensões

Outline Dimensions



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苏ICP备05018286号-1
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