YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F
Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F

Capacidade de alta tensão S3530 35A SCR TO220F

$1.2500-1999 Piece/Pieces

$0.6≥2000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-S3530

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

Tstg-40 ~ 150℃

Tj-40~ 125℃

VDRM1600V

VRRM1600V

VDSMVDRM +100V

VRSMVRRM +100V

IT(RMS)35A

ITSM300A

IT(AV)23A

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
SCR S3530 TO-220F
Descrição do produto
P/N: YZPST-S3530 35A SCRS
CARACTERÍSTICAS
Alto desempenho de ciclismo térmico
Capacidade de alta tensão

Capacidade de onda de corrente muito alta

FORMULÁRIOS

Linha retificando 50/60 Hz
Softstart CA Motor Control
Controle do motor CC
Conversor de energia
Controle de energia CA.

Iluminação e controle de temperatura

YZPST-S3530

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction  temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

1600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

300

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

23

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

450

A2 S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Thermal Resistances

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

Junction to case (DC)

2.5

℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

30

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj= 125

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

160

mA

IH

IT=500mA

MAX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

500

V/μs

STATIC CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Value(MAX.) Unit
VTM ITM =35A tp=380μs Tj =25℃ 1.5 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25℃ 20 μA
IRRM Tj =125℃ 4 mA

TO-220F Dados mecânicos do pacote

TO-220F Package Mechanical Data

苏ICP备05018286号-1
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