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Retificadores controlados silício de 25TTS08 800V controle de fase

    Preço unitário: USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces
    Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Quantidade de pedido mínimo: 2000 Piece/Pieces
    Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

Modelo: YZPST-25TTS08

Additional Info

Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

produtividade: 10000

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 100000

Certificados : ISO9001-2015,ROHS

porta: SHANGHAI

Descrição do produto

SCR DE CONTROLE DE ASE PH

YZPST-25TTS08

Descrição / Características

Os 25TTS08 de retificadores controlados por silício são projetados especificamente para aplicações de comutação de potência média e controle de fase. A tecnologia de passivação de vidro usada possui operação confiável de até 125 oC de temperatura de junção.

As aplicações típicas estão na retificação de entrada (soft start) e esses produtos são projetados para serem usados ​​com diodos de entrada, interruptores e retificadores de saída International Rectifier, que estão disponíveis em contornos de pacote idênticos.

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Retificador Controlado de Silício (SCR)

imagem de Produto

  • Retificadores controlados silício de 25TTS08 800V controle de fase
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