Diodo de recuperação rápido de alta capacidade de alta

Parameter

Symbol

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

150

200

400

600

V

Working Peak Reverse Voltage

VRW M

70

105

140

280

420

V

DC Blocking Voltage

VR(DC)

100

150

200

400

600

V

Average Rectified Forward Current Per Leg

Total Device                                                            Total Device

IF(AV)

8

16

A

Peak Rectified Forward Current Per Diode Leg

IFM

16

A

Nonrepetitive Peak Surge Current(Surge applied at rated load conditions half wave, single phase, 60 Hz)

IFSM

180

A

Operating Junction Temperature and Storage Temperature

TJ, Tstg

1.Anode   2.Cathode    3. Anode -55 to +150

C

Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case(Per Leg)

R θJC

3.0

2.0

C/

W

Parameter

Symbol

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Forward Voltage (Note 1)(IF = 8.0 A, TC = 25°C)

VF

1.0

1.3

1.7

V

Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)

(Rated DC Voltage, TC = 150°C)

(Rated DC Voltage, TC = 25°C)

IR

250

10

500

10

μ A

Maximum Reverse Recovery Time

(IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC = 0.25 A)

TRR

35

35

ns